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潘教青 研究员:InP基光子集成与硅基高迁移率材料研究进展

发布日期:2016-04-25

报告题目:

InP基光子集成与硅基高迁移率材料研究进展

报告人:

潘教青 研究员

中国科学院半导体研究所

邀请人:

郝晓涛教授

报告时间:

2013-05-31 15:30

报告地点:

知新楼C702量子报告厅

报告内容提示:

1. 介绍了作者在中国科学院半导体所的研究工作,包括InP基激光器、调制器、放大器等器件集成芯片;InP基分布反馈激光器及其气体传感应用;最近在硅基上生长III-V族化合物半导体及其潜在的应用。

2. 中科院半导体研究所研究生部的老师介绍半导体所招生和其他。

报告人简介:

潘教青主要从事化合物半导体材料生长,半导体激光器,光电集成器件的研究。负责了多项国家863、973、国家科技重大专项等科研项目,近年来每年科研经费都在 500万元以上。目前的研究兴趣是半导体激光器在气体传感中的应用,硅基混合集成激光器,高迁移率CMOS器件制备。

完成863课题“ROF 用多功能电吸收光调制器”,制备了调制速率大于35 GHz,饱和功率大于90mW的电吸收光调制器。完成863课题“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术”,发展了大应变InGaAs量子阱材料生长技术,批量制备波长为 1.6-1.9 微米的分布反馈激光器,甲烷传感DFB激光器已经转让给北京航星网讯技术股份有限公司。目前负责国家科技重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”,已经制备出高质量的硅基III-V族材料,表面平整度小于1nm,缺陷密度在E-4cm-2 至 E-5cm-2。发表文章70余篇,申请专利20余项。

受教育经历:

2000/9-2003/7,77779193永利集团晶体所,博士

1997/9-2000/7,77779193永利集团晶体所,硕士

1993/9-1997/7,77779193永利集团物理系,本科

欢迎感兴趣的师生参加!