一、报告题目：拓扑自旋结构的微磁学研究进展

二、报告人：赵国平 四川师范大学

三、时间：2023年5月18日15:30-17:00

四、地点：知新楼C座1111报告厅

五、摘要：基于斯格明子等拓扑自旋结构的信息技术可以通过电流来完成读和写的操作，在电子信息和自旋之间架起了一座桥梁，具有速度快、非易失性、低能耗等一系列优势，在磁性存储、逻辑运算、量子计算机甚至国防军事等方面都有重要的应用前景。微磁学是研究拓扑自旋结构的主要理论方法，它可以分析拓扑自旋结构的产生和操控，预测新的拓扑磁结构，并设计相关的器件。本报告基于课题组近年的研究成果，对微磁学的主要研究手段进行了分类，同时对其在拓扑自旋结构研究方面取得的主要进展进行了综述，涉及的材料包括铁磁、反铁磁、亚铁磁、合成反铁磁和阻挫材料，对相关的重点难点进行了剖析并对未来的发展方向进行了展望。

六、邀请人：颜世申

七、报告人简介：赵国平，四川师范大学教授，四川省学术技术带头人、省突出贡献专家，四川师范大学物理学硕士点和自旋电子学中心负责人，中国科学院大学兼职博士生导师。本科毕业于中国科学技术大学近代物理系，2003年获得新加坡国立大学凝聚态物理博士学位。主要研究领域：磁学和自旋电子学、纳米磁性材料。

在Phys. Rev. Lett， Adv. Mater.和Adv. Sci.等期刊发表SCI论文100余篇，被Nature electronics和Phys. Rev. Lett等期刊聘为审稿专家，Frontiers in Physics副编辑，J. Magn. Magn. Mater等多个SCI期刊客座编辑和客座主编。提出了关于纳米永磁体磁滞回线的混合模型以及纳米复合磁体的“自钉扎”和“成核钉扎二重性”等新的矫顽力机制，在铁磁和反铁磁斯格明子动力学领域做出系列创新成果。2019和2008年分别获得四川省自然科学二等奖和科技进步三等奖（均排名第一），2021年获第二届川渝科技大会一等奖（排名第一）。